半导体物理章节练习(2020.05.18)

问答题
施主浓度为1013cm3的n型硅，计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。
答案：
问答题
一块电阻率为3Ω∙cm的n型硅样品，空穴寿命τp=5us，在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩浓度（∆p）=1013cm-3。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于1012cm-3？
答案：
问答题
当E-EF为1.5k0T，4k0T，10k0T时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。
答案：
问答题
简述低频共基极电流增益的公式总结。
答案：
问答题
对于晶格常数为2.5×10-20m 的一维晶体，当外加102/Vm和107/Vm电场时，分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。
答案：
问答题
0.12kg的Si单晶掺有3.0×10-9kg的Sb，设杂质全部电离，试求出此材料的电导率。（Si单晶的密度为2.33g/cm3，Sb的原子量为121.8）
答案：
名词解释
过剩载流子
答案：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△n=n-n...
问答题
现有三个半导体硅样品，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为p01=2.25×1015/cm3，p02=1.5×1010/cm3，p03=2.25×104/cm3（1）分别计算这三个样品的电子浓度（2）判别这三个样品的导电类型（3）计算这三个样品的费米能级的位置
答案：
对这三块材料分别计算如下：

即P型半导体的费米能级在禁带中线下0.37eV处
填空题
半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
答案：电离杂质的散射；晶格振动的散射
单项选择题
当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。
A.1
B.1/2
C.1/3
D.2/3

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半导体物理章节练习(2020.05.18)

施主浓度为1013cm3的n型硅，计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。

一块电阻率为3Ω∙cm的n型硅样品，空穴寿命τp=5us，在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩浓度（∆p）=1013cm-3。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于1012cm-3？

当E-EF为1.5k0T，4k0T，10k0T时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。

简述低频共基极电流增益的公式总结。

对于晶格常数为2.5×10-20m 的一维晶体，当外加102/Vm和107/Vm电场时，分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

0.12kg的Si单晶掺有3.0×10-9kg的Sb，设杂质全部电离，试求出此材料的电导率。（Si单晶的密度为2.33g/cm3，Sb的原子量为121.8）

过剩载流子

现有三个半导体硅样品，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为p01=2.25×1015/cm3，p02=1.5×1010/cm3，p03=2.25×104/cm3（1）分别计算这三个样品的电子浓度（2）判别这三个样品的导电类型（3）计算这三个样品的费米能级的位置

半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。

当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。

半导体物理章节练习(2020.05.18)

施主浓度为1013cm3的n型硅，计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。

一块电阻率为3Ω∙cm的n型硅样品，空穴寿命τp=5us，在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩浓度（∆p）=1013cm-3。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于1012cm-3？

当E-EF为1.5k0T，4k0T，10k0T时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。

简述低频共基极电流增益的公式总结。

对于晶格常数为2.5×10-20m 的一维晶体，当外加102/Vm和107/Vm电场时，分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

0.12kg的Si单晶掺有3.0×10-9kg的Sb，设杂质全部电离，试求出此材料的电导率。（Si单晶的密度为2.33g/cm3，Sb的原子量为121.8）

过剩载流子

现有三个半导体硅样品，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为p01=2.25×1015/cm3，p02=1.5×1010/cm3，p03=2.25×104/cm3（1）分别计算这三个样品的电子浓度（2）判别这三个样品的导电类型 （3）计算这三个样品的费米能级的位置

半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。

当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。

现有三个半导体硅样品，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为p01=2.25×1015/cm3，p02=1.5×1010/cm3，p03=2.25×104/cm3（1）分别计算这三个样品的电子浓度（2）判别这三个样品的导电类型（3）计算这三个样品的费米能级的位置