半导体物理章节练习(2020.05.18)

单项选择题
可以由霍尔系数的值判断半导体材料的特性，如一种半导体材料的霍尔系数为负值，该材料通常是（）
A、n型
B、p型
C、本征型
D、高度补偿型
填空题
温度升高时，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（），正向结电压UBE（）。
答案：变大;变大;变小
单项选择题
一般可以认为，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态基本上（），而能量小于费米能级的量子态基本上为（），而电子占据费米能级的概率在各种温度下总是（），所以费米能级的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。
A. 没有被电子占据，电子所占据，1/2
B. 电子所占据，没有被电子占据，1/2
C. 没有被电子占据，电子所占据，1/3
D. 电子所占据，没有被电子占据，1/3
单项选择题
以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn与温度的（）
A、平方成正比；
B、3/2次方成反比；
C、平方成反比；
D、1/2次方成正比；
单项选择题
某单级放大电路的通频带为fB1，由两个这样的单级放大器构成一个两级放大电路，其总的通频带fB为（）
A.A
B.B
C.C
D.D
问答题
掺施主浓度ND=1015cm-3的n型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子∆n=∆p=1014cm-3。试计算这种情况下的准费米能级位置，并和原来的费米能级作比较。
答案：
问答题
PN结的两种击穿机制有什么不同？
答案：
问答题
若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算①99%电离；②90%电离；③50%电离时温度各为多少？
答案：
问答题
画出外加正向和负向偏压时pn结能带图（需标识出费米能级的位置）。
答案：

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半导体物理章节练习(2020.05.18)

可以由霍尔系数的值判断半导体材料的特性，如一种半导体材料的霍尔系数为负值，该材料通常是（）

温度升高时，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（），正向结电压UBE（）。

以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn与温度的（）

某单级放大电路的通频带为fB1，由两个这样的单级放大器构成一个两级放大电路，其总的通频带fB为（）

掺施主浓度ND=1015cm-3的n型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子∆n=∆p=1014cm-3。试计算这种情况下的准费米能级位置，并和原来的费米能级作比较。

PN结的两种击穿机制有什么不同？

若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算①99%电离；②90%电离；③50%电离时温度各为多少？

画出外加正向和负向偏压时pn结能带图（需标识出费米能级的位置）。

半导体物理章节练习(2020.05.18)

可以由霍尔系数的值判断半导体材料的特性，如一种半导体材料的霍尔系数为负值，该材料通常是（）

温度升高时，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（），正向结电压UBE（）。

以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn与温度的（）

某单级放大电路的通频带为fB1，由两个这样的单级放大器构成一个两级放大电路，其总的通频带fB为（）

掺施主浓度ND=1015cm-3的n型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子&#8710;n=&#8710;p=1014cm-3。试计算这种情况下的准费米能级位置，并和原来的费米能级作比较。

PN结的两种击穿机制有什么不同？

若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算①99%电离；②90%电离；③50%电离时温度各为多少？

画出外加正向和负向偏压时pn结能带图（需标识出费米能级的位置）。

掺施主浓度ND=1015cm-3的n型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子∆n=∆p=1014cm-3。试计算这种情况下的准费米能级位置，并和原来的费米能级作比较。