微电子学章节练习(2020.03.15)

来源:考试资料网

问答题

参考答案:由栅下半导体中的载流子浓度、栅氧化层的厚度、栅氧化层的固定电荷密度、可动电荷密度、界面态密度等有关

问答题

参考答案:1. 去除损伤层2. 表面绒面化3. 发射区扩散4. 发射区钝化氧化5.&ens...

问答题

参考答案:常压化学气相淀积;传统上这些膜通常作为层间介质(ILD),保护覆盖物或者表面平坦化;不是使用硅烷作为反应源。

名词解释

参考答案:以硅工艺为例,一般把整片的硅片叫做wafer,通过工艺流程后每一个单元会被划片,封装。在封装前的单个单元的裸片叫做die...

问答题

参考答案:在双极集成电路工艺中,采用高阻的外延层可提高集电结的击穿电压,而其低阻的衬底(或埋层)可降低集电极的串联电阻。在MOS集...

问答题

参考答案:Si片定位边或定位槽有三个主要的作用:①识别晶向、导电类型及划片方向;②硅片(晶锭)机械加工定位的参考面;③硅片装架的接...
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