半导体芯片制造工章节练习(2020.02.02)

来源：考试资料网

问答题

参考答案： 晶向偏离度总厚度误差，平衡度，翘曲度等

问答题

参考答案：如果假设硅中的杂质分布是均匀的，而且氧化气氛中又不含有任何杂质，则再分布有四种可能。①分凝系数m＜l，且在SiO2中是慢...

问答题

参考答案：固相外延是指半导体单晶上的非晶层在低于该材料的熔点或共晶点温度下外延再结晶的过程。固相外延存在问题—&mda...

单项选择题

问答题

参考答案：溅射产额：影响因素：离子质量、离子能量、靶原子质量、靶的结晶性只有当入射离子的能量超过一定能量（溅射阈值）时，才能发生溅...

问答题

下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反应的方程式，并简述其中1～5各步的含义。

参考答案：（1）反应气体从腔体入口向晶圆片附近输运；（2）这些气体反应生成系列次生分子；（3）这些反应物输运到晶圆片表面；（4）表...

问答题

参考答案：1、能很好的阻挡材料扩散；2、高电导率，低欧姆接触电阻；3、在半导体和金属之间有很好的附着能力；4、抗电迁能力强；5、在...

问答题

参考答案：CMOS（互补型金属氧化物半导体）技术：将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）集成在一块硅片上。使集成电路...

问答题

参考答案：整形处理，切片，磨片和倒角，刻蚀，抛光，清洗，硅片评估，包装。

单项选择题

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