大学试题
微电子学章节练习(2019.11.15)
来源：考试资料网
问答题
先进的集成电路封装设计有哪些？
参考答案：
A.倒装芯片B.球栅阵列（BGA）C.板上芯片（COB）D.卷带式自动键合（TAB）E.多芯片模块（MCM）F.芯片尺寸...
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问答题
简述离子注入的优缺点
参考答案：
优点：精确控制杂质含量、很好的杂质均匀性、对杂质穿透深度有很好的控制、产生单一离子束、低温工艺、注入的离子能穿过薄膜、无...
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问答题
描述平板反应器。
参考答案：
首先在层间介质二氧化硅中刻出通孔窗口，然后再覆盖有TiN阻挡层的通孔窗口中淀积W，最后进行干法等离子体反刻刻蚀掉多余的钨...
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判断题
LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。
参考答案：
错
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名词解释
厄利电压
参考答案：
反向延长晶体管的I-V特性曲线与电压轴交点的电压的绝对值。这是因为基区宽变效应导致β随Vce增大而增大，Ic随...
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填空题
势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
参考答案：
微分；大；小
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问答题
CVD过程中采用等离子体的优点有哪些？
参考答案：
1.更高的工艺温度（250-450℃）；2.对高的深宽比间隙有好的填充能力（用高密度等离子体）；3.淀积的膜对硅片有优良...
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问答题
后光刻时代有那些光刻新技术？
参考答案：
浸入式光刻、纳米压印光刻、极紫外光刻（EUV）和无掩模(ML2)一起成为后光刻技术时代的候选技术。
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填空题
半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。
参考答案：
二极管
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问答题
CMOS集成电路版图设计中，什么是有比例设计和无比例设计，对电学参数有哪些影响？
参考答案：
用电路分别实现二输入与非门：两个N管为串联，两个P管为并联；假设电路开关特性要求对称，即：上升时间Tr等于下降时间Tf，...
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