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半导体芯片制造工章节练习(2019.11.11)
填空题
全定制、半定制版图设计中用到的单元库包含()、()、()和()。
答案:
符号图;抽象图;线路图;版图
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问答题
集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺?各有什么优缺点?
答案:
扩散工艺分类:按原始杂质源在室温下的相态分类,可分为固态源扩散,液态源扩散和气态源扩散。固态源扩散(1).开管扩散...
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填空题
如果热压楔形键合小于引线直径1.5倍或大于3.0倍,其长度小于1.5倍或大于6.0倍,判引线键合()。
答案:
不合格
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问答题
例举并描述IC生产过程中的5种不同电学测试。
答案:
IC生产过程中的5种不同电学测试:
(1)IC设计验证:描述、调试和检验新的芯片设计,保证符合规格要求,是在生...
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问答题
简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
答案:
1)杂质的快速热激活RTP工艺最具吸引力的的热点之一是晶圆片不用达到热平衡状态,意味着电活性的有效掺杂实际上可以超过固溶...
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问答题
根据原理分类,干法刻蚀分成几种?各有什么特点?
答案:
干法刻蚀是采用等离子体进行刻蚀的技术,根据原理分为溅射与离子铣(物理)、等离子刻蚀(化学)、反应离子刻蚀(物理+化学)。...
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单项选择题
腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用()
A、盐酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氢氟酸
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问答题
一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表,玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。(1)在1200℃下,采用H2O氧化,使厚度增加0.5um需要多少时间?。(2)在1200℃下,采用干氧氧化,增加同样的厚度需要多少时间?
答案:
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问答题
描述热氧化过程。
答案:
①干氧:Si+O
2
SiO
2
氧化速度慢,氧化层干燥、致...
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判断题
光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。()
答案:
错误
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