半导体芯片制造工章节练习(2019.11.11)

来源：考试资料网

填空题

参考答案：符号图；抽象图；线路图；版图

问答题

参考答案：扩散工艺分类：按原始杂质源在室温下的相态分类，可分为固态源扩散，液态源扩散和气态源扩散。固态源扩散（1）.开管扩散...

填空题

参考答案：不合格

问答题

参考答案：IC生产过程中的5种不同电学测试：（1）IC设计验证：描述、调试和检验新的芯片设计，保证符合规格要求，是在生产前进行的。...

问答题

参考答案：1）杂质的快速热激活RTP工艺最具吸引力的的热点之一是晶圆片不用达到热平衡状态，意味着电活性的有效掺杂实际上可以超过固溶...

问答题

参考答案：干法刻蚀是采用等离子体进行刻蚀的技术，根据原理分为溅射与离子铣（物理）、等离子刻蚀（化学）、反应离子刻蚀（物理+化学）。...

单项选择题

问答题

一片硅片由0.3um厚的SiO₂薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10^-23。（1）在1200℃下，采用H₂O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？

参考答案：

问答题

参考答案：①干氧：Si＋O2 SiO2氧化速度慢，氧化层干燥、致密，均匀性、重复性好，与光刻胶的粘附性好②水...

判断题

参考答案：错

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