①刻蚀速率; ②刻蚀偏差; ③选择比; ④均匀性; ⑤刻蚀剖面。
形成PN结; 形成电阻; 形成欧姆接触; 形成双极型有源器件的基区、发射区、集电区、MOS管的源、漏区;形成电桥作互连线。
由一些基本材料,如在Si,GaAs或InP制成的衬底上或衬底内,用其它物质再生成一层或几层材料。
耗尽型:在VGS=0时导电沟道已经存在 增强型:当VGS正到一定程度才会导通
反偏PN结电容和MOS电容器。