集成电路技术章节练习(2019.11.01)

来源：考试资料网

问答题

参考答案： 由于芯片面积很小且经历的加工条件几乎相同

问答题

参考答案： 双列直插DIP、针栅阵列PGA、小型封装SOP、四方扁平封装QFP、塑封无引脚芯片载体PLCC

问答题

参考答案：

问答题

参考答案：为了同时满足对表面浓度、杂质总量以及结深等的要求，实际生产中常采用两步扩散工艺：第一步称为预扩散或预淀积，在较低的温度下...

问答题

参考答案： 被吸附杂质的存在状态：分子型、离子型、原子型

问答题

参考答案：模塑料与常见的热塑性塑料相比，模塑料具有更高的几何尺寸稳定性、更耐极端高热高湿复杂环境、耐化学品腐蚀、高机械强度等特点。...

问答题

参考答案：当MOS工艺发展到亚微米、深亚微米水平后，必须考虑二阶效应。这时，随着沟道长度L的减小，阈值电压将减小；随着沟道宽度W的...

判断题

参考答案：错

问答题

图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线，请画出Id2的大致变化，并说明Id1和Id2有什么不同，并解释不同的主要原因。

参考答案：

问答题

参考答案： 增强型和耗尽型