半导体材料章节练习(2019.07.09)

名词解释
轻掺杂漏（LDD）
答案：
为了减小电压击穿效应，在紧邻沟道处制造一轻掺杂漏区的MOSFET。
问答题
简述CZ法中杂质掺入办法及其选择依据。
答案：
问答题
解释投射电子能显微镜。
答案：TEM把加速和聚集的电子束投射到非常薄的样品上，电子与样品中的电子碰撞而电子与样品中的原子的碰撞而改变方向，从而产生立体...
问答题
什么是层错？
答案：简单的说，层错是在密排晶面上缺少或多余一层原子而构成的缺陷，层错是一种“面缺陷”。层错也是硅晶体中常见的一种缺陷，层错对...
问答题
产生红外吸收的条件是什么？
答案：（1）振动频率与红外光谱段的某段频率相等。
（2）偶极距的变化。
名词解释
突变结近似
答案：
认为从中性半导体区到空间电荷区的空间电荷密度有一个突然的不连续。
单项选择题
半导体的载流子扩散系数大小决定于其（）。
A.复合机构
B.能带结构
C.晶体结构
D.散射机构
问答题
影响硅单晶电化学腐蚀速度的因素有哪些？
答案：腐蚀液的成分、电极电位、缓冲剂的影响、腐蚀处理的温度和搅拌的影响、光照的影响。
问答题
光电导衰退法分为哪几种?都有什么优点?
答案：可分为高频光电导和直流光电导；高频光电导的优点，无须切割成一定的几何形状，样品较少受到污染，测试方法简单，得到广泛应用。...
问答题
简述P型半导体。
答案：当半导体中掺有受主杂质时，主要靠受主提供空穴导电，这种依靠空穴导电的半导体叫做P型半导体。
例如：硅中掺有Ⅲ...