半导体芯片制造工章节练习(2019.05.13)

来源：考试资料网

问答题

一片硅片由0.3um厚的SiO₂薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10^-23。（1）在1200℃下，采用H₂O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？

参考答案：

问答题

参考答案：1）氧化剂分压因为平衡情况下，SiO2中氧化剂的浓度C0=HPg，而抛物型速率常数B=2DSiO2C0/N1，所以气体中...

问答题

参考答案：扩散工艺分类：按原始杂质源在室温下的相态分类，可分为固态源扩散，液态源扩散和气态源扩散。固态源扩散（1）.开管扩散...

问答题

参考答案：张应力（张的时候产生的应力）与压应力（压的时候产生的应力）在张应力作用下，薄膜会相对衬底进行收缩&bul...

填空题

参考答案：符号图；抽象图；线路图；版图

填空题

参考答案：恒定表面源扩散

问答题

下图为一个典型的离子注入系统。（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。（2）阐述部件2的工作原理。

参考答案：1.离子源2.分析磁块3.加速器4.中性束闸5.x&y扫描板6.法拉第杯1.离子源作用：产生注入用的离子原理：高能电子轰...

问答题

参考答案：1）温度高温区B区，生长速率对温度的变化不敏感，生长速率由气相质量输运控制，并且对反应室的几何形状和气流有很大的依赖性。...

判断题

参考答案：对

填空题

参考答案：剪切强度

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