通信电子计算机技能考试
半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2019.05.13)
来源：考试资料网
问答题
说明影响氧化速率的因素。
参考答案：
1）氧化剂分压因为平衡情况下，SiO2中氧化剂的浓度C0=HPg，而抛物型速率常数B=2DSiO2C0/N1，所以气体中...
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问答题
射频放电与直流放电相比有何优点？
参考答案：
直流放电中，电荷在表面的积聚会使电场减小，直到等离子体消失。在射频电场中，因为电场周期性地改变方向，带电粒子不容易到达电...
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问答题
简述杂质在SiO
2
的存在形式及如何调节SiO
2
的物理性质。
参考答案：
热氧化层中可能存在各种杂质，某些最常见的杂质是与水有关的化合物，其结构如图所示。如果氧化层在生长中有水存在，一种可能发生...
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问答题
简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。
参考答案：
APCVD——一些最早的CVD工艺是在大气压下进行的，由于反应速率快，CVD系统简单，适于较厚的...
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问答题
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm
-2
。
参考答案：
（1）如果这次预淀积进行了总共t分钟，若预淀积温度不变，引入3Qcm-2的杂质需要多长时间？（2）预淀积后再进行推进扩散...
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问答题
根据曝光方式的不同，光学光刻机可以分成几类？各有什么优缺点？
参考答案：
根据曝光方式不同光学光刻机主要分为三种：接触式，接近式，投影式。接触式：接触式光刻机是最简单的光刻机，曝光时，掩模压在涂...
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问答题
根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？
参考答案：
干法刻蚀是采用等离子体进行刻蚀的技术，根据原理分为溅射与离子铣（物理）、等离子刻蚀（化学）、反应离子刻蚀（物理+化学）。...
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问答题
物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
参考答案：
物理气相淀积：蒸发Evaporation、溅射Sputtering热蒸发法：在真空条件下，加热蒸发源，使原子或分子从蒸发...
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问答题
简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温炉管它有什么优势？
参考答案：
RTP工艺是一类单片热处理工艺，其目的是通过缩短热处理时间和温度或只缩短热处理时间来获得最小的工艺热预算（Thermal...
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问答题
简述BOE（或BHF）刻蚀SiO
2
的原理。
参考答案：
二氧化硅腐蚀最常见的湿法腐蚀工艺之一是在稀释的HF溶剂中进行的SiO2湿法腐蚀法。常用腐蚀液配比是6：1，10：1，50...
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