首页
题库
网课
在线模考
搜标题
搜题干
搜选项
半导体芯片制造工章节练习(2019.05.12)
填空题
对标准单元设计EDA系统而言,标准单元库应包含以下内容:()、和()、()、()。
答案:
逻辑单元符号库;功能单元库;拓扑单元库;版图单元库
点击查看答案
判断题
厚膜浆料属于牛顿流体,因此其粘度属于正常黏度。()
答案:
错误
点击查看答案
问答题
单晶片切割的质量要求有哪些?
答案:
晶向偏离度总厚度误差,平衡度,翘曲度等
点击查看答案
问答题
简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求?
答案:
1、能很好的阻挡材料扩散;
2、高电导率,低欧姆接触电阻;
3、在半导体和金属之间有很好的附着能力;...
点击查看完整答案
单项选择题
离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。
A.能量
B.剂量
点击查看答案&解析
问答题
典型的GaAsMESFET结构IC的工艺流程?
答案:
存底的制备----硅氧化---生长埋层---外延生长---生长隔离区---生长基区---发射区及集电极接触区生长---形...
点击查看完整答案
问答题
常用溅射技术有哪几种,简述它们的工作原理和特点。
答案:
直流溅射——惰性气体,如氩,送入低压下的溅射腔体,电压加在电极上产生等离子体。加负直流电压的的是...
点击查看完整答案
填空题
禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化。
答案:
电子从价带跳到导带
点击查看答案
问答题
简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
答案:
如果假设硅中的杂质分布是均匀的,而且氧化气氛中又不含有任何杂质,则再分布有四种可能。①分凝系数m<l,且在SiO
点击查看完整答案
填空题
半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为()半导体、()半导体、固溶半导体三大类。
答案:
元素;化合物
点击查看答案