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半导体芯片制造工半导体芯片制造中级工章节练习(2019.05.10)
填空题
外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
答案：
化学气相；液相；原子束外延
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判断题
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
答案：
正确
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多项选择题
硅外延生长工艺包括（）。
A.衬底制备
B.原位HCl腐蚀
C.生长温度，生长压力，生长速度
D.尾气的处理
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判断题
在半导体集成电路中，各元器件都是制作在同一晶片内。因此要使它们起着预定的作用而不互相影响，就必须使它们在电性能上相互绝缘。（）
答案：
正确
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判断题
表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜，使器件的表面与周围气氛隔离。（）
答案：
正确
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填空题
半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。一种是（），另一种是（）。
答案：
电子；空穴
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单项选择题
腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）
A、盐酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氢氟酸
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填空题
对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以下内容：（）、和（）、（）、（）。
答案：
逻辑单元符号库；功能单元库；拓扑单元库；版图单元库
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判断题
低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和抗离子沾污能力较差。（）
答案：
正确
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判断题
厚膜浆料存在触变性，流体受到外力作用时黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢复原状。（）
答案：
正确
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