半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2019.05.02)

来源：考试资料网

问答题

采用CF₄作为气体源对SiO₂进行刻蚀，在进气中分别加入O₂或H₂对刻蚀速率有什么影响？随着O₂或H₂进气量的增加，对Si和SiO₂刻蚀选择性怎样变化？为什么？

参考答案：加入少量的氧气能够提高Si和SiO2的刻蚀速率。加入少量的氢气可以导致Si和SiO2的刻蚀速率减慢。原理：氧气与碳原子反...

问答题

参考答案：费克第一定律：C杂质浓度；D扩散系数（单位为cm2/s）J材料净流量（单位时间内流过单位面积的原子个数）解释：如果在一个...

问答题

参考答案：沟道效应：对晶体靶进行离子注入，当离子速度方向平行于主晶轴时，将很少受到核碰撞，离子将沿沟道运动，注入深度很深。由于沟道...

问答题

参考答案：扩散工艺分类：按原始杂质源在室温下的相态分类，可分为固态源扩散，液态源扩散和气态源扩散。固态源扩散（1）.开管扩散...

问答题

简述硼和磷的退火特性。

参考答案：硼退火特性电激活比例：自由载流子数p和注入剂量Ns的比对于低剂量的情况，随退火温度上升，电激活比例增大。对于高剂量情况，...

问答题

参考答案：腐蚀停止目的：为了精确控制腐蚀深度.P++腐蚀停止技术（形成重掺杂B层）：Si的湿法腐蚀速率在B掺杂浓度<1×1019c...

问答题

参考答案：寄生电阻和寄生电容造成的延迟。电子在导电过程中会撞击导体中的离子，将动量转移给离子从而推动离子发生缓慢移动。该现象称为电...

问答题

参考答案：涂胶→前烘→对准与曝光→曝光后烘烤→显影→坚膜→显影检查前烘...

问答题

下图为硅外延生长速度对H₂中SiCL₄摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。

参考答案：SiCL4浓度较小，SiCL4被氢还原析出硅原子的速度远小于被释放出来的硅原子在衬底上生成单晶硅速度，化学反应速度控制外...

问答题

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