互联线、电阻、电容、电感、传输线等
甩胶、曝光、显影、刻蚀、去胶。
某些工艺参数的梯度沿水平方向或者垂直方向是线性的
硅、砷化镓、磷化铟
负光刻胶:胶的曝光区在显影中保留,未曝光区在显影中除去,负胶多由长链高分子有机物组成
刻蚀即光刻腐蚀,就是通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理,然后通过其他方式实现腐蚀以处理掉所需除去的部分。
1、底膜处理
2、涂胶
3、前烘
4、曝光
5、显影
6、坚膜
7、刻蚀去胶
栅长小于0.3um
双光干涉法、比色法