半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2019.04.30)

问答题
什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题？
答案：固相外延是指半导体单晶上的非晶层在低于该材料的熔点或共晶点温度下外延再结晶的过程。固相外延存在问题—&mda...
问答题
简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
答案：如果假设硅中的杂质分布是均匀的，而且氧化气氛中又不含有任何杂质，则再分布有四种可能。①分凝系数m＜l，且在SiO
问答题
什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？
答案：扩散效应是指衬底中的杂质与外延层中的杂质，在外延生长时互相扩散，引起衬底与外延层界面附近杂质浓度的缓慢变化。扩散效应对界...
问答题
热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
答案：离子注入后会对晶格造成简单晶格损伤和非晶层形成；损伤晶体空位密度大于非损伤晶体，且存在大量间隙原子和其他缺陷，使扩散系数...
问答题
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
答案：（1）如果这次预淀积进行了总共t分钟，若预淀积温度不变，引入3Qcm^-2
问答题
说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
答案：结晶形SiO₂——由Si-O四面体在空间规则排列构成每个顶角的O原子与两个...
问答题
什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？
答案：表面反射——穿过光刻胶的光会从晶圆片表面反射出来，从而改变投入光刻胶的光学能量。当晶圆片表面有高...
问答题
下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写出a-g各段的名称。可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段？试解释其工作原理。
答案：ab段为无光放电区；bc段为汤生放电；c点为放电的着火点，cd段为前期辉光放电；de段为正常辉光放电区ef段为反常辉光放...
问答题
Si-SiO2界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。
答案：可动离子电荷Q_m来源：主要来源于Na+等网络改变者。解决办法：为了降低Na+的玷污，可以在工艺过程...
问答题
采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。
答案：无定形靶内的纵向浓度分布可用高斯函数表示：
其中，Rp为投影射程，ΔRp为投影射程的标准偏差，&p...