集成电路工艺原理章节练习(2019.04.30)

来源：考试资料网

填空题

参考答案：工艺腔；硅片传输系统；温控系统

填空题

参考答案：直流溅射；射频溅射；偏压溅射；磁控溅射（反应溅射、离子束溅射）

判断题

参考答案：错

名词解释

参考答案：由于光刻胶无法承受高温过程，扩散的掩膜都是二氧化硅或氮化硅。当原子扩散进入硅片，它们向各个方向运动：假如杂质原子沿硅片表...

问答题

参考答案：普通溅射法有两个缺点：一是溅射方法淀积薄膜的速率低；二是所需的工作气压较高，这两者综合效果是气体分子对薄膜产生的污染的可...

名词解释

参考答案： 扩散开始时，表面放入一定量的杂质源，而在以后的扩散过程中不再有杂质加入，此种扩散称为有限源扩散。

名词解释

参考答案： IC设计公司，只设计不生产。

判断题

参考答案：错

填空题

参考答案：热扩散；离子注入

判断题

参考答案：错

赞题库-搜题找答案

（已有500万+用户使用）

无需下载立即使用

手机版电脑版