无机化学无机固体化学章节练习(2019.04.24)

填空题
GaAs中少量Zn代替Ga是（）型；InAs含有稍微过量的In是（）型。
答案：p；n
问答题
判断下列物质是否可能为n型或p型半导体：（1）掺As的Ge（2）掺Ga的Ge
答案：
（1）n
（2）p
问答题
下列少量杂质对AgCl晶体的导电率有什么影响？简述理由。（1）AgBr （2）ZnCl2（3）Ag2O
答案：（1）基本无影响（或略有增大）；
（2）降低；
（3）增大；
因为AgCl的导电是通过间隙...
问答题
下列晶体中占优势的缺陷有哪些？（1）用MgCl2掺杂的NaCl；（2）用Y2O3掺杂的ZrO2；（3）用YF3掺杂的CaF2；（4）用As掺杂的Si；（5）在一种还原气氛中加热过的WO3。
答案：
问答题
简述缺陷对物质性质的影响。
答案：（1）对力学性质的影响：缺陷的存在可能提高金属的屈服强度，也可能降低其韧性，增加脆性。
（2）对电学性质的影响...
填空题
受X射线辐照过的KCl晶体是（）型；Li0.05Cu0.95O是（）型；WO2.999是（）型。
答案：n；p；n
问答题
什么是填隙缺陷？什么是空位缺陷？什么是置换缺陷？
答案：填隙缺陷是在晶体的晶格空隙中本不应该有原子占据的空隙中无规则地填隙了多余的原子所造成的缺陷，这些多余的原子可能是组成晶体...
问答题
MnCr2O4可能采取正常尖晶石结构和反尖晶石结构中的哪一种？为什么？
答案：应采取正常尖晶石结构。这是因为八面体位置上的d³Cr³⁺离子具有配位场稳定化...
问答题
氧化铁FexO中[Fe3+]/[Fe2+]=0.1，试计算氧化铁晶体中的x值。
答案：
填空题
ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是（）型半导体。
答案：n；p

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无机化学无机固体化学章节练习(2019.04.24)

GaAs中少量Zn代替Ga是（）型；InAs含有稍微过量的In是（）型。

判断下列物质是否可能为n型或p型半导体：（1）掺As的Ge（2）掺Ga的Ge

下列少量杂质对AgCl晶体的导电率有什么影响？简述理由。（1）AgBr （2）ZnCl2（3）Ag2O

下列晶体中占优势的缺陷有哪些？（1）用MgCl2掺杂的NaCl；（2）用Y2O3掺杂的ZrO2；（3）用YF3掺杂的CaF2；（4）用As掺杂的Si；（5）在一种还原气氛中加热过的WO3。

简述缺陷对物质性质的影响。

受X射线辐照过的KCl晶体是（）型；Li0.05Cu0.95O是（）型；WO2.999是（）型。

什么是填隙缺陷？什么是空位缺陷？什么是置换缺陷？

MnCr2O4可能采取正常尖晶石结构和反尖晶石结构中的哪一种？为什么？

氧化铁FexO中[Fe3+]/[Fe2+]=0.1，试计算氧化铁晶体中的x值。

ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是（）型半导体。

无机化学无机固体化学章节练习(2019.04.24)

GaAs中少量Zn代替Ga是（）型；InAs含有稍微过量的In是（）型。

判断下列物质是否可能为n型或p型半导体：（1）掺As的Ge（2）掺Ga的Ge

下列少量杂质对AgCl晶体的导电率有什么影响？简述理由。 （1）AgBr （2）ZnCl2（3）Ag2O

下列晶体中占优势的缺陷有哪些？（1）用MgCl2掺杂的NaCl；（2）用Y2O3掺杂的ZrO2；（3）用YF3掺杂的CaF2；（4）用As掺杂的Si；（5）在一种还原气氛中加热过的WO3。

简述缺陷对物质性质的影响。

受X射线辐照过的KCl晶体是（）型；Li0.05Cu0.95O是（）型；WO2.999是（）型。

什么是填隙缺陷？什么是空位缺陷？什么是置换缺陷？

MnCr2O4可能采取正常尖晶石结构和反尖晶石结构中的哪一种？为什么？

氧化铁FexO中[Fe3+]/[Fe2+]=0.1，试计算氧化铁晶体中的x值。

ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是（）型半导体。

下列少量杂质对AgCl晶体的导电率有什么影响？简述理由。（1）AgBr （2）ZnCl2（3）Ag2O