半导体物理章节练习(2019.03.30)

问答题
说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化？
答案：
迁移率随温度的升高逐渐降低
问答题
对于仅含一种杂质的锗样品，如果要确定载流子符号、浓度、迁移率和有效质量，应进行哪些测量？
答案：
进行霍尔系数测量和回旋共振法测有效质量。
问答题
当E-EF为1.5k0T，4k0T，10k0T时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。
答案：
问答题
以Si在GaAs中的行为为例，说明IV族杂质在III-V族化合物中可能出现的双性行为。
答案：Si取代GaAs中的Ga原子则起施主作用；Si取代GaAs中的As原子则起受主作用。导带中电子浓度随硅杂质浓度的增加而增...
问答题
以硅的本征激发为例，说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系，为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度？
答案：沿不同的晶向，能量带隙不一样。因为电子要摆脱束缚就能从价带跃迁到导带，这个时候的能量就是最小能量，也就是禁带宽度。
问答题
从能带底到能带顶，晶体中电子的有效质量将如何变化？外场对电子的作用效果有什么不同；
答案：在能带底附近，电子的有效质量是正值，在能带顶附近，电子的有效质量是负值。在外电F作用下，电子的波失K不断改变，dkfhd...
填空题
从能带角度来看，锗、硅属于（）半导体，而砷化稼属于（）半导体，后者有利于光子的吸收和发射。
答案：间接带隙；直接带隙
问答题
试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。
答案：Si的电阻率与温度的变化关系可以分为三个阶段：
（1）温度很低时，电阻率随温度升高而降低。因为这时本征激发极弱...
单项选择题
简并半导体是指（）的半导体。
A、（EC-EF.或（EF-EV）≤0
B、（EC-EF.或（EF-EV）≥0
C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度
D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子
名词解释
费米能级
答案：
费米能级是绝对零度时电子的最高能级。