名词解释
局部氧化工艺。
问答题
源漏之间的距离、沟道宽度、开启电压、栅绝缘氧化层的厚度、栅绝缘层的介电常数、载流子的迁移率
图元:工艺能够制造的有源元件和无源元件的版图作为工艺图形单元
判断题
使胶膜完全溶解所需最小的曝光量。
是对光刻工艺可以到达的最小光刻圆形尺寸的一种描述。
填空题
N沟道FET的速度将比P沟道FET快2.5倍
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