大学试题
微电子学章节练习(2018.12.15)
来源：考试资料网
问答题
21世纪硅微电子技术的主要发展方向有哪些？
参考答案：
特征尺寸继续等比例缩小；集成电路（IC.将发展成为系统芯片（SOC））；微电子技术与其它领域相结合将产生...
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问答题
SPICE主要可以完成哪些主要的电路分析。
参考答案：
直流分析：典型的是求解直流转移特性（.DC），输入加扫描电压或电流，求输出和其他节点（元件连接处）电压或支路电流；还有....
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填空题
当采用耗尽近似时，由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。
参考答案：
大
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问答题
列举下一代光刻技术中4种正在研发的光刻技术。
参考答案：
1.极紫外光刻技术（EUV）2.离子束投影光刻技术（IPL）3.角度限制投影电子束光刻技术（SCALPEL）4.X射线光...
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名词解释
SOC
参考答案：
片上系统，也称作系统级芯片。英文System on a Chip的缩写。即将一个系统的多个部分集成在一个芯片上，能够完成...
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填空题
基区渡越时间是指（）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。
参考答案：
从发射结渡越到集电结所需要的平均时间；2
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填空题
晶体管的高频优值M是（）与（）的乘积
参考答案：
功率增益；带宽
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问答题
描述场氧化层及其厚度范围。
参考答案：
场氧化层：抑制金属层的电荷堆积的厚氧化层范围：2500~12000 * 10^-10（A上面一个圈）...
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问答题
解释HDPCVD中同步沉积和刻蚀。典型深宽比的值是什么？
参考答案：
它是采用材料填充高深宽比的间隙并且无空洞形成的基础。 3:1
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问答题
陈述软烘的4个原因。
参考答案：
1.将硅片上覆盖的光刻胶溶剂去除；2.增强光刻胶的粘附性以便在显影时光刻胶可以很好地粘附；3.缓和在旋转过程中光刻胶胶膜...
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