集成电路工艺原理章节练习(2018.11.15)

是指芯片内的器件与第一层金属之间在硅表面的连接。

当离子沿晶轴方向入射时，大部分离子将沿沟道运动，不会受到原子核的散射，方向基本不变，可以走得很远。

外延层与沉底的材料相同。

射程在离子入射方向投影的长度。