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半导体芯片制造工半导体芯片制造高级工章节练习(2018.10.05)
填空题
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
答案：
化学气相；液相；分子束
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填空题
禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
答案：
电子从价带跳到导带
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填空题
半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（）（）（）隔离等三种基本方法.
答案：
Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合
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填空题
厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，（），氮化铝（A1N）陶瓷。
答案：
氧化铍陶瓷
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单项选择题
溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
A.电子
B.中性粒子
C.带能离子
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单项选择题
变容二极管的电容量随（）变化。
A.正偏电流
B.反偏电压
C.结温
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单项选择题
半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的（），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。
A.热阻
B.阻抗
C.结构参数
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填空题
最常用的金属膜制备方法有（）加热蒸发、（）蒸发、（）。
答案：
电阻；电子束；溅射
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填空题
铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。
答案：
氧化物
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填空题
杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
答案：
替位；间隙
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