集成电路工艺原理章节练习(2018.09.20)

来源：考试资料网

填空题

参考答案：wafer；硅；锗

名词解释

参考答案： 是对光刻工艺可以到达的最小光刻圆形尺寸的一种描述。

判断题

参考答案：错

填空题

参考答案：去掉两端；径向研磨；硅片定位边和定位槽

问答题

参考答案：为了同时满足对表面浓度、杂质总量以及结深等的要求，实际生产中常采用两步扩散工艺：第一步称为预扩散或预淀积，在较低的温度下...

填空题

参考答案：半导体级硅；GSG；电子级硅

填空题

参考答案：铝；铝；铜

填空题

参考答案：正性光刻；负性光刻胶；正性光刻胶

问答题

参考答案：BGA封装适用于MCM封装，能够实现MCM的高密度，高性能。

问答题

参考答案：扩散杂质所形成的浓度分布：杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表...

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