集成电路技术综合练习章节练习(2018.03.19)

问答题
硅片表面吸附杂质的存在状态有哪些？
答案：
被吸附杂质的存在状态：分子型、离子型、原子型
问答题
将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺？
答案：
包括：切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。
问答题
影响显影的主要因素？
答案：
曝光时间、前烘的温度和时间、光刻胶的膜厚、显影液的浓度、显影液的温度、显影液的搅动情况
问答题
常用的CVD哪几种？说明各自的优缺点以及应用领域。
答案：（1）常压化学气相淀积，这种工艺所需的系统简单，反应速度快，并特别适于介质淀积，但是它的缺点是均匀性较差，气体消耗量大，...
问答题
铝栅MOS工艺的缺点是什么？
答案：
制造源、漏极与制造栅极采用两次掩膜步骤，不容易对齐
问答题
形成SOI材料的主要技术是什么？
答案：
注氧隔离技术、键合减薄技术、智能剥离技术。
问答题
为什么晶体管的反向工作状态一般不用，尤其是在集成电路中更是如此？
答案：由于晶体管的实际结构不对称，特别是在集成电路中，发射区嵌套在基区内，基区嵌套在集电区内，发射结比集电结小很多反向电流放大...
问答题
SPICE模型是如何建立的？其优缺点是什么？
答案：SPICE模型是建立在电路基本元器件的工作机理和物理细节上优点：可以精确的在电路器件一级仿真系统测试工作特性和验证系统逻...
问答题
为什么GaAs同质结双极型晶体管的性能很难达到或超过硅基BJT的性能？
答案：
它的空穴迁移率低于硅的空穴迁移率
问答题
MOS管是图元之一，它的可变参数有哪些？
答案：
栅长、栅宽、栅指数