集成电路技术综合练习章节练习(2018.03.06)

问答题
为什么采用AlGaAs/GaAs异质结结构制造的双极型晶体管（HBT）具有好的性能？
答案：
异质结双极性晶体管的发射极效率主要由禁带宽度差决定，几乎不受掺杂比的限制
问答题
对NMOS晶体管，注入何种杂质使阈值电压增加或降低？
答案：
P型杂质增加、N型杂质降低。
问答题
施主杂质和受主杂质的含义是什么？
答案：在晶体中电离时能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质为施主杂质；
在晶体中电离时能够接受电子而产生导电...
问答题
集成电路设计需要哪些知识范围？
答案：
系统知识，电路知识，工具知识，工艺知识
问答题
形成微带线的基本条件是什么？
答案：
介质衬底的背面应该完全被低欧姆金属覆盖并接地，使行波的电场主要集中在微带线下面的介质中。
问答题
NMOS晶体管可分为哪种类型？
答案：
增强型NMOS和耗尽型NMOS。
问答题
在CMOS电路里，MOS管一般采用何种类型？
答案：
增强型
问答题
溅射法的含义是什么？
答案：
利用等离子体轰击被溅射物质使其分子或原子逸出，淀积到基片表面形成薄膜
问答题
制作硅栅具体步骤是什么？
答案：
生长缓冲层、沟道区注入、离子注入、CVD工艺淀积多晶硅、多晶硅掺杂、光刻和刻蚀形成多晶硅栅的图形。
问答题
哪种BiCMOS工艺用的较多？为什么？
答案：
双极工艺为基础的BiCMOS工艺用的多
影响BiCMOS器件性能的主要部分是双极部分。