互连、接触、栓塞
注氧隔离技术、键合减薄技术、智能剥离技术。
工序目的:去除表面因加工应力而形成的损伤层及污染
MOS管有多层介质:在栅极电极的下面有一层SIO2介质SIO2下面是P型衬底,衬底比较厚衬底电极同衬底之间必须是欧姆接触
电源线上和版图空余地方