集成电路技术综合练习章节练习(2018.02.11)

名词解释
电压传输特性
答案：
指电路的输出电压VO随输入电压Vi变化而变化的性质或关系（可用曲线表示，与晶体管电压传输特性相似）。
问答题
为什么正胶在显影时很容易被去掉？
答案：
因为正胶在曝光时被光照的光刻胶发生分解反应。
问答题
制作硅栅具体步骤是什么？
答案：
生长缓冲层、沟道区注入、离子注入、CVD工艺淀积多晶硅、多晶硅掺杂、光刻和刻蚀形成多晶硅栅的图形。
问答题
在正式用Cadence画版图之前要先构思或想一想哪些问题？
答案：
仔细想一想每个管子应该怎样安排，管子之间怎样连接，最后的电源线、地线怎样走
问答题
光刻的曝光方式有几种？各有何特点？
答案：接触和非接触两种，非接触分为接近式和投影式
接触式：精确度高，但掩膜易磨损，消耗大非接触式
接近式：...
问答题
在MOS及双极型器件中，多晶硅可用来做什么？
答案：
栅极、源极与漏极（或双极器件的基区与发射区）的欧姆接触、基本连线、薄PN结的扩散源、高值电阻等
问答题
接触曝光方式的关键技术有哪些？它的主要优缺点是什么？
答案：需要一股很粗的光束、一个很大的透镜，以及一套良好的光学系统；
精确度较高但非理想接触导致LSI芯片合格率不高，...
问答题
简述MOS管的导电沟道是如何形成的。
答案：
是P和N半导体相互浸入形成的。
如果外部不加控制电压就有导电沟道的是耗尽型
如果需要外部加控制电压才有导电沟道的是增强型。
问答题
什么是集成电路的无生产线（Fabless）设计模式？
答案：
只设计电路而没有生产线
问答题
开发多晶硅技术解决了什么问题？
答案：
常规CMOS结构的闩锁效应严重地影响电路的可靠性，解决闩锁效应