集成电路制造工艺员章节练习(2018.01.13)

单项选择题
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
A.刻蚀
B.氧化
C.淀积
D.光刻
单项选择题
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min
单项选择题
（）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。
A.PVD
B.CVD
C.溅射
D.蒸发
单项选择题
目前，最广泛使用的退火方式是（）。
A.热退火
B.激光退火
C.电子束退火
D.离子束退火
多项选择题
下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。
A.CF₄
B.BCl₃
C.Cl₂
D.F₂
E.CHF₃
问答题
试写出SMC元件的小型化进程是什么？
答案：系列型号的发展变化也反映了SMC元件的小型化进程：5750（2220）→4532（1812）→322...
多项选择题
沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。
A.功能
B.成品率
C.物理性能
D.电学性能
E.外观
问答题
电子工艺技术人员的工作范围是哪些？
答案：①根据产品设计文件要求编制产品生产工艺流程、工时定额和工位作业指导书。指导现场生产人员完成工艺工作和产品质量控制工作。<...
单项选择题
（）的气体源中一般包含H+，C+，B+，Cl+，O+等离子。
A.Cl₂
B.BCl₃
C.CO₂
D.H₂
多项选择题
关于正胶和负胶的特点，下列说法正确的是（）。
A.正胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率高于负胶
B.正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解
C.负胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率不会降低
D.正胶的感光区域在显影时易溶解，负胶的感光区域在显影时难溶解
E.负胶在显影时会发生膨胀，导致了分辨率的降低