通信电子计算机技能考试
半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2017.12.28)
来源:考试资料网
问答题
什么是离子注入的横向效应?同等能量注入时,As和B哪种横向效应更大?为什么?
参考答案:
横向效应:注入的离子在垂直于入射方向平面内的分布情况。横向效应与注入离子的种类和离子能量有关。B的横向效应更大,因为质量...
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问答题
在铜互连中,为什么要用铜扩散阻挡层?阻挡层分成哪几种,分别起什么作用?
参考答案:
1)铜在SiO2中极易扩散,造成对硅器件的沾污:增加SiO2的漏电流;增加结漏电流;降低了击穿电压。2)铜极容易氧化和被...
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问答题
在MEMS加工中,为了精确控制腐蚀深度,有哪几种腐蚀停止技术,分别说一下其腐蚀停止原理。
参考答案:
腐蚀停止目的:为了精确控制腐蚀深度.P++腐蚀停止技术(形成重掺杂B层):Si的湿法腐蚀速率在B掺杂浓度<1×1019c...
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问答题
离子在靶内运动时,损失能量可分核阻滞和电子阻滞,解释什么是核阻滞、电子阻滞?两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系?
参考答案:
①碰撞注入离子与靶内原子核之间的相互碰撞。因注入离子与靶原子的质量一般为同一数量级,每次碰撞之后,注入离子都可能发生大角...
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问答题
以P
2
O
5
为例,多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。
参考答案:
在多晶硅薄膜中进行杂质扩散的扩散方式与单晶硅中的方式是不同的,因为多晶硅中有晶粒间界存在,所以杂质原子主要沿着晶粒间界进...
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问答题
杂质原子的扩散方式有哪几种?它们各自发生的条件是什么?从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。
参考答案:
①交换式:两相邻原子由于有足够高的能量,互相交换位置。②空位式:由于有晶格空位,相邻原子能移动过来。③填隙式:在空隙中的...
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问答题
什么是离子分布的偏斜度和峭度,和标准高斯分布有什么区别?
参考答案:
非对称性常用偏斜度γ(skewness)表示:γ为负值表明杂质分布在表面一侧的浓度增加,即x<R...
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问答题
下图为直流等离子放电的I-V曲线,请分别写出a-g各段的名称。可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段?试解释其工作原理。
参考答案:
ab段为无光放电区;bc段为汤生放电;c点为放电的着火点,cd段为前期辉光放电;de段为正常辉光放电区ef段为反常辉光放...
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问答题
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?
参考答案:
CVD过程包括两个部分:一、反应剂在边界层中的输运二、反应剂在衬底表面的化学反应存在两种极限情况:①hg>>ks,Cs趋...
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问答题
简述外延薄膜的生长过程,其最显著的特征是什么?
参考答案:
生长过程:①传输:反应物从气相经边界层转移到Si表面;②吸附:反应物吸附在Si表面;③化学反应:在Si表面进行化学反应,...
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