13、判断制造下列电路的衬底类型

智慧树知到《芯片基础模拟集成电路设计》章节测试答案

A.N型衬底

B.P型衬底

正确答案:N型衬底

14、判断器件为NMOS器件还是PMOS器件?

智慧树知到《芯片基础模拟集成电路设计》章节测试答案

A.NMOS

B.PMOS

C.什么都不是

正确答案:PMOS

第三章单元测试

1、下列关于放大的说法,正确的是()

A.在大多数模拟电路和许多数字电路中,放大是一个基本功能。

B.我们放大一个模拟或数字信号是因为这个信号太小而不能驱动负载,或者不能克服后继的噪声

C.放大不能为数字电路提供逻辑电平。

D.放大在反馈系统中起着重要作用。

正确答案:在大多数模拟电路和许多数字电路中,放大是一个基本功能。;我们放大一个模拟或数字信号是因为这个信号太小而不能驱动负载,或者不能克服后继的噪声;放大在反馈系统中起着重要作用。

2、下列关于小信号的说法,正确的是()

A.小信号使电路偏置点受到的扰动可忽略不记

B.若小信号变化幅度过大,则会影响直流偏置点,需用大信号分析

C.假定某MOS器件的栅源过驱动电压VGS – VTH = 0.5V,则|vgs(t)|可视为小信号的变化范围为10mV

D.一般小信号是交流信号

正确答案:小信号使电路偏置点受到的扰动可忽略不记;若小信号变化幅度过大,则会影响直流偏置点,需用大信号分析;一般小信号是交流信号

3、以电阻RD为负载的共源级电路的小信号增益的表达式有()

A.

智慧树知到《芯片基础模拟集成电路设计》章节测试答案

B.

智慧树知到《芯片基础模拟集成电路设计》章节测试答案

C.

智慧树知到《芯片基础模拟集成电路设计》章节测试答案

D.

智慧树知到《芯片基础模拟集成电路设计》章节测试答案

正确答案:

智慧树知到《芯片基础模拟集成电路设计》章节测试答案



智慧树知到《芯片基础模拟集成电路设计》章节测试答案



智慧树知到《芯片基础模拟集成电路设计》章节测试答案



智慧树知到《芯片基础模拟集成电路设计》章节测试答案

4、对于以电阻RD为负载的共源级电路,增大其小信号增益的措施有()

A.增大器件M1的宽长比W/L

B.减小器件M1的宽长比W/L

C.增大电阻RD上的电压VRD

D.减小漏极电流ID

正确答案:增大器件M1的宽长比W/L;增大电阻RD上的电压VRD;减小漏极电流ID

5、对于以电阻RD为负载的共源级电路,增大器件的宽长比W/L,可以增大电路的小信号增益AV,但MOS管寄生电容相应增加,电路的高频响应会变差,其3dB转折频率点会下降

A.对

B.错

正确答案:对

6、对于以电阻RD为负载的共源级电路,增大电阻上的电压VRD,可以增大电路的小信号增益AV,但VDS会下降,从而导致放大器静态工作点下移,输出电压的摆幅会减小

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