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单项选择题
下列关于阈值电压的说法，不正确的有（）
A、对于NFET，界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅压VGS
B、若VGS>VTH ，则MOS管导通
C、若VTH=0，则对于最低电压为GND的NMOS器件来说一般不关断
D、在器件制造过程中，通过向沟道区注入杂质可以调整阈值电压VTH0 ，即改变氧化层界面附近衬底的掺杂浓度
E、工艺确定后，VTH0确定，那么设计者再无法改变器件的阈值电压
F、PMOS器件的VGS要足够“负”，才能使其导通。
B、若VGS>VTH ，则MOS管导通
C、若VTH=0，则对于最低电压为GND的NMOS器件来说一般不关断
D、在器件制造过程中，通过向沟道区注入杂质可以调整阈值电压VTH0 ，即改变氧化层界面附近衬底的掺杂浓度
E、工艺确定后，VTH0确定，那么设计者再无法改变器件的阈值电压
F、PMOS器件的VGS要足够“负”，才能使其导通。
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此题为判断题(对，错)。
答案：
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