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2、一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中
A、其阈值电压应该是正的
B、强反时,其空间电荷区中的电荷应该是负的
C、积累状态时所加的栅电压应该是负的
D、其费米势应该是负的
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下列哪项不属于矿山生产的生态足迹的是 ?
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