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当PN结处于反向偏置时,阻挡层会()
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A、变窄
B、变高
C、变矮
D、变宽
正确答案:变宽
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问答题
当PN结反向电压小于4v时,发生的击穿是()
答案:
A、特斯拉击穿
B、海森堡击穿
C、低压击穿
D、齐纳击穿
正确答案:齐纳击穿
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问答题
IEEE754单精度规格化浮点数采用的偏移量为()
答案:
A、32
B、64
C、127
D、256
正确答案:64
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