单项选择题

某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为：
A、N沟道结型管
B、P沟道结型管
C、耗尽型PMOS管
D、耗尽型NMOS管
E、增强型PMOS管
F、增强型NMOS管

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A.平面应变问题
B.平面弹性问题
C.平面位移问题
D.平面荷载问题

单项选择题

常见的路径规划算法不包括
A、Dijkstra算法
B、A-Star 算法
C、人工势场算法
D、中心法则