A．双异质结形成的结构，如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。
B．能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构。
C．两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构。
D．两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构。