问答题

【计算题】已知硅n型外延层的电阻率为0.5Ω·㎝，现用硼离子注入法来形成基区，其能量为60keV，若注入剂量为10¹⁵cm^-2，试求注入的峰值浓度、结深及注入离子的平均浓度。（注：由E~△ＲP 曲线可得，当E 为60keV时，查表知△RP值为0.05µm。）

答案：

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