判断题

离子注入与扩散工艺相比，具有很好的均匀性，注入杂质纯度比较高。

答案：正确

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单项选择题

离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离称为（）

A.投影射程
B.离子射程
C.横向射程
D.标准偏差

多项选择题

解决沟道效应的方法有（）

A.退火
B.将硅片倾斜一定的角度
C.在洁净硅表面铺一层非晶物质
D.破坏表面硅原子的结构