A.氧化层厚度；
B.沟道中掺杂浓度；
C.金属半导体功函数；
D.氧化层电荷。

A. 电活性
B. 晶格损伤
C. 横向效应
D. 沟道效应

A. 激活杂质后
B. 一种物质在另一种物质中的运动
C. 预淀积
D. 高温多步退火

A. 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状
B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
C. 变成刻蚀介质以形成一个凹槽
D. 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用

A.增大光源波长；
B.减小光源波长；
C.减小光学系统数值孔径；
D.增大光学系统数值孔径。

A. 诱生电荷
B. 鸟嘴效应
C. 陷阱电荷
D. 可移动电荷

A.高电阻率；
B.高化学稳定性；
C.低介电常数；
D.高介电强度。

A.35；
B.100；
C.102；
D.237。