问答题

【计算题】在电阻率为1Ω∙cm的p型硅半导体区域中，掺金浓度N_t=10¹⁵cm^-3，由边界稳定注入的电子浓度（∆n）₀=10¹⁰cm^-3，试求边界处电子扩散电流。

答案：

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【计算题】设空穴浓度是线性分布，在3us内浓度差为10¹⁵cm^-3，u_p=400cm₂/（V∙s）。试计算空穴扩散电流密度。

答案：

【计算题】室温下，p型半导体中的电子寿命为τ=350us，电子的迁移率u_n=3600cm^-2/（V∙s）。试求电子的扩散长度。

答案：