多项选择题

下面（）能影响VDMOSFET阻断电压的大小。

A.栅极宽度
B.p区掺杂浓度梯度
C.漂移区掺杂浓度
D.终端技术

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多项选择题

下面（）可能减小VDMOSFET导通电阻。

A.优化栅极宽度
B.增加栅极电压
C.减小漂移区厚度
D.增大N衬底厚度

多项选择题

UMOSFET导通电阻主要包括（）

A.漂移区电阻
B.N衬底电阻
C.沟道电阻
D.栅极电阻