如图所示，一根长圆柱型同轴电缆，内、外导体间充满磁介质，磁介质的相对磁导率为μ_r（μ_r＜1），导体的磁化可以略去不计，电缆沿轴向有稳定电流I通过，内外导体上的电流的方向相反，求

如图所示，一根长圆柱型同轴电缆，内、外导体间充满磁介质，磁介质的相对磁导率为μ_r（μ_r＜1），导体的磁化可以略去不计，电缆沿轴向有稳定电流I通过，内外导体上的电流的方向相反，求

变电站将电压500kV的直流电，通过两条截面不计的平行输电线输向远方。已知两输电导线间单位长度的电容为3×10^-11F/m，若导线间的静电力与安培力正好抵消。求

变电站将电压500kV的直流电，通过两条截面不计的平行输电线输向远方。已知两输电导线间单位长度的电容为3×10^-11F/m，若导线间的静电力与安培力正好抵消。求

载流子浓度是半导体材料的重要参数，工艺上通过控制三价或五价掺杂原子的浓度，来控制P型或n型半导体的载流子浓度。利用霍尔效应可以测量载流子的浓度和类型。如图所示一块半导体材料样品，均匀磁场垂直于样品表面，样品中通过的电流为I，现测得霍尔电压为U_H。证明样品载流子浓度为：

通有电流I=50A的无限长直导线，放在如图所示弧形线圈的oz轴上，线圈中的电流I=20A，线圈高h=7R/3，求作用在线圈上的力。

在一个显像管的电子束中，电子有1.2×10⁴eV的能量。这个显像管安放的位置使电子水平地由南向北运动，地球磁场的垂直分量B_⊥=5.0×10^-5T，并且方向向下。试求
（1）电子束偏转方向；
（2）电子束在显像管内通过20cm到达屏面时光点的偏转间距。