多项选择题

A.半导体费米能级进入导带或价带中
B.引起半导体杂质原子的电子共有化运动
C.半导体载流子统计分布需要用费米分布函数来描述
D.半导体中载流子的浓度随掺杂浓度的增加而线性增加

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A.离子注入对半导体晶格没有损伤
B.离子注入利用电场来控制离子的注入深度
C.离子注入利用磁场来筛选注入的离子
D.将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应

A.空穴带有正电荷，且具有正的有效质量
B.空穴是为了处理半导体导带的导电问题而人为引入的物理量
C.空穴运动的本质是价带中电子的运动
D.p型掺杂将在半导体中引入更多的空穴