制造硅半导体器体中,常使硼扩散到硅单晶中,若在1600K温度下,保持硼在硅单晶表面的浓度恒定(恒定源半无限扩散),要求距表面10-3cm深度处硼的浓度是表面浓度的一半,问需要多长时间(已知D1600℃=8×10-12cm2/s;当)?
已知氢和镍在面心立方铁中的扩散数据为cm2/s和cm2/s试计算1000℃的扩散系数,并对其差别进行解释
原因:与镍原子相比氢原子小得多,更容易在面心立方的铁中通过空隙扩散