问答题X 纠错

GaAs相对Si的优点和缺点是什么？

参考答案：

优点：
A.比硅更高的电子迁移率，高频微波信号响应好——无线和高速数字通信
B.抗辐射能力强——军事和空间应用
C.电阻率大——器件隔离容易实现
主要缺点：
A.没有稳定的起钝化保护作用的自然氧化层
B.晶体缺陷比硅高几个数量级
C.成本高

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参考答案：细
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单项选择题

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1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长；
2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上；
3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应；
4.CVD SiO2，温度低。

A.1、2
B.2、4
C.1、4
D.1、2、4
E.1、2、3、4

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填空题

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参考答案：高斯
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参考答案：间隙
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参考答案：电子
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参考答案：粗
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参考答案：负
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判断题

在LPCVD中，由于hG>>kS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制

参考答案：对
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