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问答题
变电站将电压500kV的直流电,通过两条截面不计的平行输电线输向远方。已知两输电导线间单位长度的电容为3×10-11F/m,若导线间的静电力与安培力正好抵消。求
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载流子浓度是半导体材料的重要参数,工艺上通过控制三价或五价掺杂原子的浓度,来控制P型或n型半导体的载流子浓度。利用霍尔效应可以测量载流子的浓度和类型。如图所示一块半导体材料样品,均匀磁场垂直于样品表面,样品中通过的电流为I,现测得霍尔电压为UH。证明样品载流子浓度为:
问答题
问答题
在一个显像管的电子束中,电子有1.2×104eV的能量。这个显像管安放的位置使电子水平地由南向北运动,地球磁场的垂直分量B⊥=5.0×10-5T,并且方向向下。试求
(1)电子束偏转方向;
(2)电子束在显像管内通过20cm到达屏面时光点的偏转间距。
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如图所示,一半径为R的无限长载流直导体圆柱,其中电流I沿轴向流过,并均匀分布在横截面上,现在导体上有一半径为R′的圆柱型空腔,其轴与直导体的轴平行,两轴相距为d,试用安培环路定理求空腔中心的磁感应强度。你能证明空腔中的磁场是均匀磁场吗?
问答题
有一同轴电缆,其尺寸如图所示。两导体中的电流均为I,但电流的流向相反,导体的磁性可不考虑。试计算以下各处的磁感强度:
(1)r<R1;
(2)R1<r<R2;
(3)R2<r<R3
(4)r>R3;画出B-r曲线。