判断题

侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。

答案：正确

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离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。

答案：错误

热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。

答案：正确