填空题X 纠错
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单项选择题
化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较,下面哪些说法是正确的:()。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长; 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上; 3.CVD SiO2,衬底硅不参加反应; 4.CVD SiO2,温度低。
A.1、2 B.2、4 C.1、4 D.1、2、4 E.1、2、3、4
填空题
判断题
下面选项属于主扩散的作用有()。 1.调节表面浓度 2.控制进入硅表面内部的杂质总量 3.控制结深
A.1 B.2 C.3 D.1、3
不论正胶或负胶,光刻过程中都包括如下步骤: 1.刻蚀 2.前烘 3..显影 4.去胶 5.涂胶 6.曝光 7.坚膜 以下选项排列正确的是:()。
A.2561437 B.5263471 C.5263741 D.5263714。
A.结晶形二氧化硅 B.无定形二氧化硅
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