A.Ti-与Poly接触好,常温性下稳定性好 B.良好的导电性 C.防止Alhilllock产生
A.成膜 B.曝光 C.刻蚀 D.剥离
A.H含量降低至2%以下,防止ELA氢爆 B.Poly-Si晶格修补(经过多次的离子注入、Plasma损害) C.用氢原子填补多晶硅及氧化层间的界面态,晶粒间界态及氧化层缺陷,以减少这些不稳定态的数目,提升电特性(ss稳定性)