填空题

CMOS工艺中，阱注入的计量为（）量级；源、漏注入的剂量为（）量级；开启调整的注入剂量为（）量级；场注入的的剂量为（）量级；离子束合成SOI材料SIMOX的O⁺注入计量为（）量级。

答案： 10¹²/cm²；10¹⁵/cm²；10¹¹/cm²；10¹³/cm²；10¹⁸/cm²

你可能感兴趣的试题

浅结制备的常用方法是：（）、（）加（）。而（）型浅结比（）型浅结更难制备。P型浅结常用（）、（）、（）来获得。

答案：降低注入离子能量；分子离子注入；快速热退火；P；n；BF₂⁺离子替代B⁺注入；降低B⁺注入能量；硅注入表面预非晶化

为了降低注入离子对衬底由于热沉积产生的温升，在高剂量、大束流离子注入时，可以采用（）扫描方式，在低剂量、小束流时一般用（）方式注入。

答案：混合；全电扫描